金属电阻_金属电阻率

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金属电阻率中央通孔构成接触窗结构。通过形成的环形垫片，在形成接触窗结构时，通过去除所述环形垫片时，可以使得中央通孔的尺寸变大，从而使得接触窗结构底部的尺寸会变大，在接触窗结构中形成金属插塞时，使得金属插塞底部与目标层的接触面积增大，减小了两者的接触电阻。本文源自金融界

金属电阻排行金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构和用于形成存储器结构的方法“授权公告号CN111987118B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示，本发明针对一种用于在金属化层之间或内形成具有低轮廓的电阻式随机存好了吧！

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金属电阻率排序通过在衬底上设置第一金属穿孔结构，针对该第一金属穿孔结构与衬底进行相应的工艺处理后，使得第一金属穿孔结构的顶表面与衬底的顶表面平齐，从而提高了金属互连层中电阻的均匀性，在设置多层器件时，该制作方法得到的金属互连层能够保证与其相邻层器件之间电连接的可靠性。本说完了。

金属电阻和温度的关系重掺杂金属化合物二维材料与沟道层的侧面接触，重掺杂金属化合物二维材料沉积于第一高K介电层之上，且沉积厚度高于沟道层的厚度，本申请提供的晶体管，可以降低沟道与接触金属之间的接触电阻，提高晶体管的性能。本文源自金融界

金属电阻和碳膜电阻区别金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“金属氧化物金属(MOM)电容器中的线路后端(BEOL)高电阻(HI-R)导体层“公开号CN117178356A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，公开了一种金属氧化物金属(MOM)电容器及其制造方法。MOM说完了。

金属电阻应变片天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其金属化方法“公开号CN117637902A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请涉及光电技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。以解决相关技术中电池金属化技术存在的遮光面积大、电阻大以及银浆使用量大等还有呢？

金属电阻率随温度变化金融界2024年1月29日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路器件“授权公告号CN220400593U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本申请涉及一种集成电路器件，电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNM还有呢？

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